作者：
段国玉
单位：
鹤壁职业技术学院 458030
摘要：
基于第一性原理，对赝立方结构IV族砷化物X3As4（X=Si、Ge、Sn）的电子结构、光学性质进行了理论研究。结果表明：X3As4具有间接带隙型能带结构；Si3As4、Ge3As4、Sn3As4的间接带隙能分别为0.1eV，0.25eV，0.54eV。根据费米面附近的态密度分布，IVA族元素的np电子轨道与As的4p电子轨道发生杂化；X-As的结合具有很强的共价特性。在光学性质方面，计算了X3As4的光学常数 、能量损失谱等。X3As4在可见光波长范围内有明显吸收，这与p电子在费米面附近的带间跃迁行为有关。...
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